• Задать вопрос менеджеру

Twitter новости

Обучение письменному иноязычному общению на основе ИКТ http://t.co/IK2NAjncrk

Online-опрос

Антиплагиат онлайнДипломант
Яндекс.Метрика

Проектирования биполярной ИМС

Предмет:Технология
Тип:Курсовая
Объем, листов:21
Word
Получить полную версию работы
Релевантные слова:каналом, электропроводности, имс, между, мдпструктур, полупроводника, носителей, заряда, индуцированным, параметров, топологии, истока, стока, основных, мдптранзистора
Процент оригинальности:
70 %
Цена:200 руб.
Содержание:

ВВЕДЕНИЕ ……………………………………………………………………….

1 Развёрнутое техническое задание …………………………………………. .

2 Механизм работы и классификация МДП-транзисторов …………………

3 Основные параметры МДП-структур и МДП-транзисторов …………….

4 Расчет основных параметров КМДП-транзисторов ………………………

5 Расчет паразитных связей и параметров МДП-ИМС ………………………

6 Конструирование транзисторов и топологии кристалла МДП-ИМС ……

ЗАКЛЮЧЕНИЕ …………………………………………………………………

СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМЫХ ИСТОЧНИКОВ ………………………………

Вступление:

Основной задачей курсового проекта по дисциплине «Электроника» явля-ется приобретение навыков самостоятельного инженерного и конструкторского расчета интегральных микросхем (ИМС) на униполярных транзисторах.

Наиболее важный этап проектирования биполярной ИМС состоит в преоб-разовании ее электрической схемы в топологическую. На этой стадии определяют-ся взаимные расположения элементов и соединения между ними. При разработке топологии необходимо стремиться к обеспечению максимальной плотности упа-ковки элементов при минимальном количестве пересечений межэлементных со-единений и минимальном паразитном взаимодействии между отдельными элемен-тами. Эти требования в большинстве практических случаев являются противоре-чивыми, поэтому процесс разработки топологии должен осуществляться так, что-бы обеспечивалось оптимальное расположение элементов, при котором можно бы-ло бы уменьшить влияние паразитных эффектов, присущих тому или другому ти-пу разрабатываемой ИМС. При проектировании ИМС значительное внимание уде-ляется расчету топологии МДП-структур. При расчете параметров МДП-транзисторов первоочередной задачей является проведение сравнительного анали-за характеристик ИМС со схемами аналогичного назначения. Кроме того, необхо-димо учитывать новейшие достижения в области МДП-структур и современной элементной базы.

Заключение:

В данном курсовом проекте была рассмотрена взаимосвязь конструктивных и электрических параметров МДП-транзисторов, на основе данной в задании элек-трической принципиальной схемы и основных данных были произведены проек-тировка и расчет топологии МДП-ИМС.

Список литературы:

1. Чернышова Т. И. , Чернышов В. Н. , Чернышев Н. Г. Проектирование полупроводниковых интегральных микросхем на униполярных транзисторах: Учеб. -метод. пособие. Тамбов: Изд-во Тамб. гос. техн. ун-та, 2007, 80 с.

2. Коледов Л. А. Технология и конструкции микросхем, микропроцессоров, микросборок. Учебник для вузов. - М. : Радио и связь, 1989 - 400 с.

3. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование/ Коледов Л. А. , Волков В. А. , Докучаев Н. И. : Под ред. Л. А. Коледова. - М: Высшая школа, 1984-231 с.

4. Березин А. С. , Мочалкина О. Р. Технология и конструирование интегральных микросхем. - М. : Радио и связь, 1983 - 232 с.

5. Достанко А. П. Технология интегральных схем. - Минск: Высшая шко-ла, 1982-206 с.

Бесплатные работы:

Готовые работы:

Рекомендованные документы: